金融界2024年12月20日消息，国家知识产权局信息显示，新磊半导体科技（苏州）股份有限公司申请一项名为“一种分子束外延系统中磷束流的标定方法”的专利，公开号CN 119145048 A，申请日期为2024年11月。

专利摘要显示， 本发明提供一种分子束外延系统中磷束流的标定方法，涉及半导体制造技术领域。该方法包括：在磷束流已标定的第一分子束外延系统中，生长InGaAsy0P1‑y0外延层；在待标定磷束流的第二分子束外延系统中，生长InGaAsyP1‑y外延层，通过调整磷束流的取值，使得实际测量获得的As组分y等于y0，并且将y等于y0时对应的磷束流作为第二分子束外延系统的经标定的磷束流。本申请通过在不同的分子束外延系统生长具有固定组分的InGaAsP材料，从而确定了不同系统中实际需要的砷束流与磷束流之间的相对大小关系，进而利用砷束流标定数据和相对大小关系，实现对新系统的磷束流标定，该方法可以显著节省时间成本和材料成本。

本文源自：金融界

作者：情报员