金融界2024年12月20日消息，国家知识产权局信息显示，合肥科晶材料技术有限公司申请一项名为“一种促进生长钪酸镝单晶的方法”的专利，公开号 CN 119145042 A，申请日期为 2024年9月。

专利摘要显示，本发明提供一种促进生长钪酸镝单晶的方法，包括以下步骤：准备原材料：将原料混合均匀，装入坩埚中；设定生长条件：将装有原材料的坩埚置于高温炉中，设定温度梯度、压力和生长速度；上提拉法生长：在生长过程中，通过上提拉装置将籽晶以恒定速度从熔融原料中缓慢上提，控制晶体的冷却速率以促进单晶生长；实时称重监控：在上提拉过程中，使用高精度称重装置对正在生长的单晶进行实时称重监控，调节生长参数以保持单晶质量的稳定性和均匀性；晶体生长优化：与现有技术相比，本发明具有如下的有益效果：通过控制生长速度和温度梯度，本发明能够有效减少晶体生长过程中由于热应力引起的缺陷和内应力，提高晶体的完整性和机械强度。

本文源自：金融界

作者：情报员