金融界2024年12月20日消息，国家知识产权局信息显示，云南鑫耀半导体材料有限公司申请一项名为“一种VGF和VB联动的磷化铟单晶生长方法”的专利，公开号CN 119145039 A，申请日期为2024年10月。

专利摘要显示，本发明公开了一种VGF和VB联动的磷化铟单晶生长方法，包括以下步骤：热场校准，热场校准后装料装炉；在PBN坩埚旋转下，通过VGF法调整各温区降温梯度，完成引晶‑放肩阶段晶体生长；恒定热场，采用VB法，通过调整PBN坩埚下降速度完成晶体等径生长；出炉脱模、晶片加工。通过本VGF和VB联动的磷化铟单晶生长方法生产的磷化铟单晶位错密度低，晶体电学参数不均匀性更小，本方法不但为低位错、低应力、高均匀性磷化铟单晶生长提供了新方法，还建立空炉状态下的热场基准校准方法。

本文源自：金融界

作者：情报员