金融界 2024 年 12 月 21 日消息，国家知识产权局信息显示，北京中科新微特科技开发股份有限公司申请一项名为“抗辐照功率场效应晶体管及其制造方法”的专利，公开号 CN 119153518 A，申请日期为 2024 年 8 月。

专利摘要显示，本申请

公开了一种抗辐照

功率场效应晶体管

及其制造方法，场效应

晶体管包括沿第

一方向层叠设置的

栅极结构层、外延层

和衬底层，在靠近栅

极结构层的一侧，外

延层内设置有多个

导电结构区多

个 JFET 区和多个第二导电结构区，沿第一方向和第二方向，第

二导电结构区的厚度和宽度均小于第一导电结构区，各 JFET 区

设于相邻的第一导电结构区之间，各第二导电结构区分别对应

设于各 JFET 区内；其中，外延层与 JFET 区具有第一导电类型，第

一导电结构区和第二导电结构区则均具有第一导电类型区域

和第二导电类型区域。本申请的抗辐照功率场效应晶体管及其

制造方法，场效应晶体管的制造工艺较为简单，具有较强的抗

辐照能力，并且能够保证场效应晶体管的性能。

本文源自：金融界

作者：情报员