金融界2024年12月23日消息，国家知识产权局信息显示，中微渝芯（重庆）电子科技有限公司申请一项名为“一种集成高侧MOS内阻功率模块三相电流采样电路”的专利，公开号CN 119154756 A，申请日期为2024年9月。

专利摘要显示，本发明公开了一种集成高侧MOS内阻功率模块三相电流采样电路，该电路包括：集成高侧采样运放+LDO+电源电压采样的微控制单元U1，集成高侧MOS内阻采样的功率晶体管Q1/Q2/Q3。该电路节省三电阻采样需要的外置3个采样电阻，节省电阻损耗，简化电路，节省成本，增加可靠性。相比传统MOS内阻采样电路，功率模块集成预驱，集成高侧采样高共模电压差分运放。优势一，不会产生接地干扰；优势二，可以检测电机绕组对地短路。本发明中MCU集成LDO，集成高侧母线电流采样运放，可以采样到高侧母线电流，降低了故障率。

本文源自：金融界

作者：情报员