金融界2024年12月23日消息,国家知识产权局信息显示,浙江创芯集成电路有限公司申请一项名为“存储器结构及其形成方法”的专利,公开号CN 119156012 A,申请日期为2024年9月。
专利摘要显示,一种存储器结构及其形成方法,其中方法包括:提供衬底;在所述衬底上形成浮栅前驱层;提供配体材料与所述浮栅前驱层反应以形成电荷俘获结构,所述电荷俘获结构的材料为金属有机骨架的衍生物。金属有机骨架的衍生物具有复杂微孔的周期性拓扑结构,使得电荷俘获结构具有多孔性且缺陷态密度大,俘获载流子能力强,在低的操作电压下就可以实现电荷存储,提高了存储器结构的可靠性。
本文源自:金融界
作者:情报员
热门跟贴