金融界2024年12月26日消息，国家知识产权局信息显示，上海天岳半导体材料有限公司申请一项名为“一种定量表征衬底缺陷聚集区体内应力、外延片中衬底体内应力和外延层体内应力的方法”的专利，公开号CN 119178761 A，申请日期为2023年6月。

专利摘要显示，本申请公开了一种定量表征衬底缺陷聚集区体内应力、外延片中衬底体内应力和外延层体内应力的方法，属于半导体检测技术领域。包括下述步骤：第一步：对衬底进行测试，获得衬底在不同测试点的峰位位移值和应力值，计算得到峰位位移与应力转化系数μ；第二步：使用拉曼测试仪对衬底缺陷聚集区的内部扫描测试，得到峰位值，并计算峰位位移值，根据峰位位移值和第一步中峰位位移与应力转化系数μ，计算衬底缺陷聚集区的体内应力值。本申请能够实现对衬底缺陷聚集区体内应力、外延片中衬底体内应力和外延层体内应力定量测试，可根据测试的应力信息，对晶体的生长或衬底外延层的生长中各工序参数起到反馈作用，以得到低应力的衬底或外延片。

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