金融界2024年12月26日消息，国家知识产权局信息显示，上海华力集成电路制造有限公司申请一项名为“一种减少多晶层关键图形尺寸量测误差的方法”的专利，公开号CN 119181653 A，申请日期为2023年6月。

专利摘要显示，本发明提供一种减少多晶层关键图形尺寸量测误差的方法，提供需量测的图形，需量测的图形为晶圆图形；编写规则对所需量测的图形进行分类，分为第一类图形和第二类图形，第一类图形为电子束线宽缺陷扫描机台易量测图形；第二类图形为电子束线宽缺陷扫描机台不易量测图形；对于第一类图形，利用电子束线宽缺陷扫描机台对其进行自动量测；对于第二类图形，先手动将客户设计图形与所述第二类图形对准，再利用电子束线宽缺陷扫描机台对第二类图形进行量测；得到两次量测结果；检查两次量测结果是否有量测错误的图形；若有量测错误的图形则对量测错误的图形重新量测；对量测结果进行分析。

本文源自：金融界

作者：情报员