湖南静芯微电子取得带NMOS的栅控二极管单向可控硅静电防护器件及其制作方法专利
金融界2024年12月31日消息,国家知识产权局信息显示,湖南静芯微电子技术有限公司取得一项名为“带NMOS的栅控二极管单向可控硅静电防护器件及其制作方法”的专利,授权公告号 CN 115332243 B ,申请日期为 2022年7月。
天眼查资料显示,湖南静芯微电子技术有限公司,成立于2015年,位于长沙市,是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本905万人民币。通过天眼查大数据分析,湖南静芯微电子技术有限公司参与招投标项目1次,知识产权方面有商标信息9条,专利信息51条,此外企业还拥有行政许可3个。
本文源自:金融界
作者:情报员
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