金融界2025年1月8日消息，国家知识产权局信息显示，力晶积成电子制造股份有限公司申请一项名为“半导体元件结构的制造方法”的专利，公开号CN 119252823 A，申请日期为2023年7月。

专利摘要显示，本发明公开一种半导体元件结构的制造方法，包括以下步骤。在基底上形成第一介电层。在第一介电层上形成相互连接的P型半导体层与N型半导体层。在P型半导体层与N型半导体层上形成第二介电层。在第二介电层中形成第一开口与第二开口。在第一开口中形成第一金属层，且在第二开口中形成第二金属层。第一金属层电连接于P型半导体层。第二金属层电连接于N型半导体层。将基底放置在电解液中，其中电解液覆盖第二介电层、第一金属层与第二金属层。对P型半导体层与N型半导体层进行照光处理，以在电解液中进行氧化反应与还原反应。

本文源自：金融界

作者：情报员