金融界2025年1月16日消息，国家知识产权局信息显示，安徽格恩半导体有限公司申请一项名为“一种具有抑制扭折上波导层的GaN基半导体激光芯片”的专利，公开号CN 119297733 A，申请日期为2024年10月。

专利摘要显示，本发明提出了一种具有抑制扭折上波导层的GaN基半导体激光芯片，包括从下至上依次设置的衬底、下包覆层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层和上包覆层。本发明通过设计上波导层的折射率系数、空穴迁移率的峰值位置往上包覆层方向的下降角度以及谷值位置往有源层方向的上升角度，增强上波导层的载流子限制效应，降低电子往上波导层一侧泄漏，抑制载流子向无源区渗透和扩展，抑制辐射模形状畸变，降低辐射复合损耗，提升辐射复合效率和基模的外微分量子效率，降低阈值电流密度和扭折临界电流，提升激光器的斜率效率和光功率。

天眼查资料显示，安徽格恩半导体有限公司，成立于2021年，位于六安市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本8505.7882万人民币，实缴资本1316.6667万人民币。通过天眼查大数据分析，安徽格恩半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目4次，知识产权方面有商标信息2条，专利信息425条，此外企业还拥有行政许可12个。

本文源自：金融界

作者：情报员