金融界2025年1月18日消息，国家知识产权局信息显示，荣芯半导体（淮安）有限公司申请一项名为“深槽隔离结构及其制作方法”的专利，公开号CN 119314942 A，申请日期为2024年12月。

专利摘要显示，本发明提供一种深槽隔离结构及其制作方法，所述深槽隔离结构包括：基底，包括P型轻掺杂衬底以及位于P型轻掺杂衬底上的P型轻掺杂外延层；N型重掺杂层，位于P型轻掺杂外延层上；深槽，贯穿N型重掺杂层并延伸至基底内；电介质层，覆盖深槽的侧壁与底部；贯穿槽，贯穿位于深槽底部的部分区域的所述电介质层，暴露出基底；第一半导体材料层，为P型外延层，填满贯穿槽与基底形成电连接；第二半导体材料层，填充深槽，与第一半导体材料层连接，且深槽顶部的第二半导体层具有金属接触。本发明降低了深槽填充的难度及工艺成本，同时降低了深槽内的第二半导体材料层与基底之间电连接的电阻，提高了电连接的均匀性与稳定性。

天眼查资料显示，荣芯半导体（淮安）有限公司，成立于2021年，位于淮安市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本750000万人民币，实缴资本730000万人民币。通过天眼查大数据分析，荣芯半导体（淮安）有限公司参与招投标项目17次，专利信息36条，此外企业还拥有行政许可35个。

本文源自：金融界

作者：情报员