金融界2025年1月18日消息，国家知识产权局信息显示，星科金朋私人有限公司申请一项名为“用强脉冲光照射制作重分布层的半导体器件和方法”的专利，公开号 CN 119314886 A，申请日期为2024年5月。

专利摘要显示，用强脉冲光照射制作重分布层的半导体器件和方法。半导体器件具有基板。电气组件设置在基板上。封装剂沉积在电气组件上。在沉积封装剂后，导电层形成在与电气组件相对的基板上。导电层在基质中被沉积为多个涂覆石墨烯的金属球。导电层是通过强脉冲光(IPL)照射烧结的。

本文源自：金融界

作者：情报员