金融界2025年1月20日消息，国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“半导体器件及其制备方法、存储系统”的专利，公开号 CN 119317112 A，申请日期为2023年7月。

专利摘要显示，本申请实施方式提供半导体器件及其制备方法、存储系统，半导体器件包括叠层结构和电容接触结构。叠层结构包括交替堆叠的第一介质层和栅极层。电容接触结构由外向内包括第一导电层、第一绝缘介质层和第二导电层，其中，第一导电层沿堆叠方向在叠层结构中延伸，并与对应的栅极层连接。

天眼查资料显示，长江存储科技有限责任公司，成立于2016年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本6471073.69万人民币，实缴资本6471073.69万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储科技有限责任公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目1390次，知识产权方面有商标信息946条，专利信息4992条，此外企业还拥有行政许可1001个。

本文源自：金融界

作者：情报员