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无机CsPbI3钙钛矿由于其固有的热稳定性和适宜的带隙，已成为一种有前景的深红光发光二极管（LED）发光材料。然而，受到碱性氧化锌（ZnO）衬底诱导的CsPbI3结晶不可控问题，在大尺寸薄膜基LED中导致在高亮度下外部量子效率（EQE）不足，从而成为商业化进程中的障碍。

在此，上海交通大学陈悦天、缪炎峰和赵一新等人提出了一种具有广泛适用性的有效酸性工程策略，用于修改ZnO的表面特性并调控CsPbI3结晶。通过系统选择具有温和酸解离常数的1,4-环己烷二羧酸对埋藏界面进行功能化，我们减缓了脱质子化反应的速率，成功获得了具有高相纯度和较少缺陷的均匀CsPbI3薄膜。

所得到的CsPbI3钙钛矿LED（PeLED）在3400 cd m–2的高亮度下，达到了19.4%的创纪录EQE，代表了目前最先进的大尺寸CsPbI3 PeLED。这些发现为高效CsPbI3 PeLED的进展提供了宝贵的见解。

论文链接：

Acidic Engineering on Buried Interface toward Efficient Inorganic CsPbI3 Perovskite Light-Emitting Diodes

Wenji Zhan, Jingjing Cao, Haifei Wang, Meng Ren, Menglei Feng, Yingping Fan, Jiahao Guo, Yao Wang, Yuetian Chen, Yanfeng Miao, and Yixin Zhao

Nano Letters Article ASAP

DOI: 10.1021/acs.nanolett.4c05694

https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acs.nanolett.4c05694

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