金融界2025年1月22日消息，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“半导体结构的形成方法”的专利，公开号 CN 119275098 A，申请日期为2023年7月。

专利摘要显示，一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，所述基底包括衬底以及位于所述衬底上的分立的初始鳍部，所述基底包括第一区域和第二区域，第一区域的初始鳍部作为第一初始鳍部，第二区域的初始鳍部作为第二初始鳍部，所述第一初始鳍部和第二初始鳍部材料不同；同时对所述第一区域和第二区域中的初始鳍部交替进行第一刻蚀和第二刻蚀，将所述初始鳍部进行分割；其中，所述第一刻蚀对第一初始鳍部的刻蚀速率小于对第二初始鳍部的刻蚀速率，所述第二刻蚀对第二初始鳍部的刻蚀速率小于对第一初始鳍部的刻蚀速率。本发明实施例利用第一初始鳍部和第二初始鳍部的刻蚀速率差异进行互补，能有效减小鳍切尺寸差异，因而能够改善半导体形结构的性能。

天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元，实缴资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目119次，知识产权方面有商标信息146条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可429个。

本文源自：金融界

作者：情报员