金融界2025年1月25日消息，国家知识产权局信息显示，浙江创芯集成电路有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN 119342858 A，申请日期为2024年10月。

专利摘要显示，一种半导体结构及其形成方法，其中半导体结构包括：提供衬底；在衬底上沉积形成第一绝缘层；在第一绝缘层上沉积形成栅极层；在栅极层上形成具有栅极层图案的第一光刻胶层；以第一光刻胶层为掩膜，在第一绝缘层上以及栅极层的侧壁表面沉积形成第二绝缘层，第二绝缘层的顶部表面与栅极层的顶部表面齐平；在部分第二绝缘层的顶部表面形成源/漏区；采用退火工艺，在源/漏区上、部分第二绝缘层上以及栅极层上形成沟道层，沟道层的顶部表面与源/漏区的顶部表面齐平。通过在第一绝缘层和第二绝缘层内形成栅极层使得栅极层为埋入式结构减少了栅极层与源/漏区之间的重叠面积，降低产生寄生电容的可能性，避免出现栅极击穿现象。

天眼查资料显示，浙江创芯集成电路有限公司，成立于2020年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本182000万人民币，实缴资本134000万人民币。通过天眼查大数据分析，浙江创芯集成电路有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目246次，知识产权方面有商标信息14条，专利信息182条，此外企业还拥有行政许可4个。

本文源自：金融界

作者：情报员