杭州芯迈取得屏蔽栅极沟槽半导体结构与屏蔽栅极沟槽半导体器件专利
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金融界2025年1月25日消息,国家知识产权局信息显示,杭州芯迈半导体技术有限公司取得一项名为“屏蔽栅极沟槽半导体结构与屏蔽栅极沟槽半导体器件”的专利,授权公告号CN 113889536 B,申请日期为2021年10月。
天眼查资料显示,杭州芯迈半导体技术有限公司,成立于2019年,位于杭州市,是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本2707.9992万人民币,实缴资本2707.9992万人民币。通过天眼查大数据分析,杭州芯迈半导体技术有限公司共对外投资了8家企业,参与招投标项目1次,知识产权方面有商标信息20条,专利信息138条,此外企业还拥有行政许可8个。
本文源自:金融界
作者:情报员
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