金融界2025年2月12日消息，国家知识产权局信息显示，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司申请一项名为“用于薄膜沉积的气路稳流装置及薄膜沉积设备”的专利，公开号CN 119392216 A，申请日期为2024年11月。

专利摘要显示，本发明公开了一种用于薄膜沉积的气路稳流装置及薄膜沉积设备，该用于薄膜沉积的气路稳流装置包括：反应腔、前驱体管路、前级管路和分支管路，所述前驱体管路与所述反应腔连接，所述前级管路通过所述分支管路与所述前驱体管路连接，所述分支管路与所述前驱体管路的连接节点将所述前驱体管路划分为远离所述反应腔的第一段管路和靠近所述反应腔的第二段管路；其中，所述分支管路和/或所述第一段管路上设置有控压装置，所述控压装置配置为使所述分支管路上的压力与所述反应腔的压力一致。通过控压装置消除了反应腔和分支管路之间的压力差，避免了气体切换时的流量波动，提高了薄膜沉积的质量和效果。

天眼查资料显示，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司，成立于2023年，位于沈阳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本50000万人民币，实缴资本36168.02万人民币。通过天眼查大数据分析，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司参与招投标项目12次，知识产权方面有商标信息1条，专利信息211条，此外企业还拥有行政许可7个。

本文源自：金融界

作者：情报员