金融界2025年2月13日消息，国家知识产权局信息显示，新唐科技股份有限公司申请一项名为“屏蔽栅极沟槽式MOSFET及其源极多晶硅制作方法”的专利，公开号 CN 119400692 A，申请日期为2024年1月。

专利摘要显示，本发明关于一种屏蔽栅极沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管及其源极多晶硅制作方法，此屏蔽栅极沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管包括一漏极基底、一配置于漏极基底上的外延层以及一沟槽。沟槽内壁覆盖有一氧化层，且在沟槽内，配置一源极多晶硅，在源极多晶硅上，配置一栅极氧化层，且在栅极氧化层上，配置一栅极多晶硅。在第一多晶硅降低两侧的氧化层包括两段湿刻蚀所构成的阶梯结构其中借由两段湿刻蚀工艺以及两段干刻蚀工艺，钝化源极多晶硅转角，以解决尖端放电。

天眼查资料显示，新唐科技股份有限公司，成立于2008年，位于，是一家以从事None为主的企业。企业注册资本300000万新台币。通过天眼查大数据分析，新唐科技股份有限公司参与招投标项目1次，知识产权方面有商标信息34条，专利信息901条。

本文源自：金融界

作者：情报员