金融界2025年2月13日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“存储单元结构及其制造方法、存储单元阵列结构”的专利，公开号 CN 119403121 A，申请日期为2023年7月。

专利摘要显示，本公开实施例涉及半导体技术领域，提供一种存储单元结构及其制造方法、存储单元阵列结构，存储单元结构包括：沿第一方向上依次接触连接的第一晶体管、存储区和第二晶体管；第一晶体管包括沿第二方向上依次接触连接的第一掺杂区、第二掺杂区和第三掺杂区，第二晶体管包括沿第二方向上依次接触连接的第四掺杂区、第五掺杂区和第六掺杂区，存储区具有沿第一方向上相对的第一侧和第二侧，第二掺杂区与第一侧接触连接，第五掺杂区与第二侧接触连接；第一掺杂区、第三掺杂区、第四掺杂区、第六掺杂区中均掺杂有第一掺杂离子，第二掺杂区、存储区和第五掺杂区中均掺杂有第二掺杂离子。本公开实施例至少可以有利于提高存储单元结构的电学性能。

天眼查资料显示，长鑫科技集团股份有限公司，成立于2016年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本5777094.224万人民币，实缴资本5363300万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了17家企业，参与招投标项目1088次，知识产权方面有商标信息207条，专利信息276条，此外企业还拥有行政许可28个。

本文源自：金融界

作者：情报员