金融界 2025 年 2 月 13 日消息，国家知识产权局信息显示，上海功成半导体科技有限公司申请一项名为“一种新型功率器件的制备方法及功率器件”的专利，公开号 CN 119403157 A ，申请日期为 2024 年 12 月 。

专利摘要显示，本申请公开了一种新型功率器件的制备方法及功率器件，涉及功率半导体器件技术领域，能够解决 SGT MOSFET 器件快关断下 Vds 的应力过大的问题，进而可以提高器件的稳定性。所述方法包括：在第一衬底的第一表面刻蚀形成多个第一沟槽后，得到第一沟槽状表面；在所述第一沟槽状表面进行氧化的第氧化层后得到第沟槽氧化表面后，在每个第一沟槽中填充第一多晶硅；在所述第一沟槽氧化表面上形成第一导电层后，将所述第一导电层与每个所述第一多晶硅连接；在所述第一衬底的第二表面形成第二导电层后，得到电容结构；将所述电容结构与预先制备的器件结构的源极连接，得到目标功率器件。

天眼查资料显示，上海功成半导体科技有限公司，成立于2018年，位于上海市，是一家以从事通用设备制造业为主的企业。企业注册资本1414.9831万人民币，实缴资本1414.9831万人民币。通过天眼查大数据分析，上海功成半导体科技有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目4次，知识产权方面有商标信息33条，专利信息132条，此外企业还拥有行政许可6个。

本文源自：金融界

作者：情报员