悟劳茂材料公司申请掩模与支撑部的连接体及其制造方法专利,用于半导体Wafer上的OLED像素形成工艺
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金融界2025年2月21日消息,国家知识产权局信息显示,悟劳茂材料公司申请一项名为“掩模与支撑部的连接体及其制造方法”的专利,公开号CN 119491188 A,申请日期为2023年12月。
专利摘要显示,本发明涉及掩模与支撑部的连接体及其制造方法。根据本发明的掩模与支撑部的连接体,用于半导体Wafer上的OLED像素形成工艺,包括:支撑部,其包括边缘部和栅格部掩模其连接在所述支撑部上且包括形成有掩模图案的多个单元部,所述掩模的至少一部分布置于所述支撑部中下陷形成的沟槽部中。
本文源自:金融界
作者:情报员
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