金融界2025年2月21日消息，国家知识产权局信息显示，安华高科技股份有限公司申请一项名为“用于提高薄膜装置的光学特性均匀度的方法”的专利，公开号 CN 119493217 A，申请日期为2024年7月。

专利摘要显示，本发明涉及一种用于提高薄膜装置的晶片级光学特性均匀度的方法。所述方法包含形成上覆于第一晶片上的电介质的第一层及上覆于第二晶片上的电介质的第二层。所述方法还包含测量所述第二层的折射率分布及测量所述第一层的第一厚度分布。所述方法还包含基于所述折射率分布及所述第一厚度分布确定所述第一层的第二厚度分布。所述方法进一步包含基于所述第二厚度分布从所述第一层非均匀地及选择性地移除材料，从而得到呈所述第二厚度分布的第三层，所述第三层由跨越所述第一晶片具有优于+/-2.5nm的特性波长均匀度的光谱响应表征。

本文源自：金融界

作者：情报员