金融界 2025 年 2 月 22 日消息，国家知识产权局信息显示，佛山耐镭特光电技术有限公司申请一项名为“GaN 基多光区 LED 芯片、照明灯具及制备方法”的专利，公开号 CN 119497469 A，申请日期为 2024 年 12 月 。

专利摘要显示，本发明公开了 GaN 基多光区 LED 芯片、照明灯具及制备方法，该 GaN 基多光区 LED 芯片包括：衬底以及设置在衬底上的 GaN 基发光体；GaN 基发光体上至少开设有一个环形隔离槽，环形隔离槽贯穿 GaN 基发光体的上表面及下表面，在环形隔离槽开设有若干个时，多个环形隔离槽在衬底上的正投影的轮廓逐渐减小、且自内向外依次套设开设；其中，GaN 基发光体上任一环形隔离槽的槽壁相邻的区域为一个子发光区域，每一子发光区域被点亮时对应出射一个角度的光束，因此，可通过点亮不同的子发光区域进行光束变换，实现了通过一个 GaN 基多光区 LED 芯片进行光束变换，结构简单，使得照明灯具的成本降低，且照明灯具的体积及重量变小。

天眼查资料显示，佛山耐镭特光电技术有限公司，成立于2024年，位于佛山市，是一家以从事电气机械和器材制造业为主的企业。企业注册资本500万人民币。通过天眼查大数据分析，佛山耐镭特光电技术有限公司专利信息2条，此外企业还拥有行政许可2个。

本文源自：金融界

作者：情报员