金融界2025年3月19日消息，国家知识产权局信息显示，上海华力微电子有限公司申请一项名为“非易失性存储器”的专利，公开号CN 119630035 A，申请日期为2023年9月。

专利摘要显示，本发明公开了一种非易失性存储器，器件单元结构包括：垂直沟道区和栅极结构。栅极结构覆盖在垂直沟道区的宽度边两侧的侧面中的一个侧面上。栅极结构包括：选择栅和存储栅。选择栅和垂直沟道区之间间隔有第一栅介质层，选择栅和半导体衬底之间间隔有第一介质层。存储栅位于选择栅的顶部且间隔有第二介质层。存储栅和垂直沟道区之间间隔有第二栅存储介质层。被栅极结构所覆盖的垂直沟道区的表面用于形成垂直沟道，第二垂直沟道部分由存储栅控制，当第二栅存储介质层中存储有电荷时，存储位为‘0’，反之存储位为‘1’。本发明能降低器件的尺寸从而方便实现器件尺寸微缩；还能提高存储稳定性和寿命以及能降低工作偏压、提高读取和擦写速度。

天眼查资料显示，上海华力微电子有限公司，成立于2010年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2840207.7441万人民币，实缴资本2597159.954641万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华力微电子有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目509次，财产线索方面有商标信息10条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可101个。

本文源自金融界