金融界2025年3月22日消息，国家知识产权局信息显示，杭州谱析光晶半导体科技有限公司申请一项名为“一种抑制漏源电压过冲的SiCVDMOSFET结构及其制备方法”的专利，公开号CN 119653833 A，申请日期为2025年2月。

专利摘要显示，本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种抑制漏源电压过冲的SiCVDMOSFET结构，包括金属漏极、半导体外延层、金属源极、栅极，以及覆盖在栅极表面的栅氧化层，所述半导体外延层包括有N衬底层、扩散层、P阱层、掺杂P层以及N阱层；所述栅极的截面轮廓呈倒‘U’字形状，并且所述栅极的下方设有多晶硅掺杂层；所述P阱层的截面轮廓呈‘L’字形状，所述P阱层的截面高度高于多晶硅掺杂层的截面高度；所述多晶硅掺杂层的下方设有掺杂N层，其中掺杂N层阻隔多晶硅掺杂层与扩散层的直接接触。本发明通过在半导体外延层的内部通过沉积形成多晶硅掺杂层，多晶硅掺杂层能够以减少漏源电压过冲的影响，并且有效抑制高电场的集中，避免高电压下的击穿现象。

天眼查资料显示，杭州谱析光晶半导体科技有限公司，成立于2020年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本774.0901万人民币，实缴资本658.536万人民币。通过天眼查大数据分析，杭州谱析光晶半导体科技有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目15次，专利信息122条，此外企业还拥有行政许可2个。

本文源自：金融界

作者：情报员