金融界2025年3月26日消息，国家知识产权局信息显示，国巨电子（中国）有限公司申请一项名为“一种高耐腐蚀性厚膜电阻的制造方法”的专利，公开号 CN 119673599 A，申请日期为2024年12月。

专利摘要显示，本发明公开了一种高耐腐蚀性厚膜电阻的制造方法，其步骤为：S 1、在基板上印刷背面电极及正面电极，并进行烧结固化；S2、将电阻层印刷在两块正面电极之间的基板上，并进行烧结固化；S3、在电阻层和部分正面电极上印刷玻璃层并烧结固化S4 对电阻层进行激光调阻；S6、在玻璃层上以及部分正面电极上印刷第一树脂保护层，并固化；S7、排条、端部真空镀膜；S8、折粒、端部镀膜；其特征在于：在所述步骤S6与步骤S7之间还具有如下步骤：A1：在外漏的正面电极以及背面电极表面化学镀高磷镍；A2、在第一树脂保护层以及部分正面电极上印刷第二树脂保护层，并固化。本发明提高了电阻的耐腐蚀性能，延长了电阻的使用寿命。

天眼查资料显示，国巨电子（中国）有限公司，成立于1996年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本30197.7万美元，实缴资本30197.7万美元。通过天眼查大数据分析，国巨电子（中国）有限公司参与招投标项目38次，专利信息96条，此外企业还拥有行政许可29个。

本文源自：金融界

作者：情报员