金融界2025年3月26日消息,国家知识产权局信息显示,半导体元件工业有限责任公司申请一项名为“半导体衬底裂纹缓解系统和相关方法”的专利,公开号 CN 119673760 A,申请日期为2019年4月。
专利摘要显示,本发明题为“半导体衬底裂纹缓解系统和相关方法”。本发明公开了一种用于愈合半导体衬底中的裂纹的方法,所述方法的实施方式可以包括:识别半导体衬底中的裂纹;以及加热所述半导体衬底的包括所述裂纹的区域,直到所述裂纹愈合。
本文源自:金融界
作者:情报员
金融界2025年3月26日消息,国家知识产权局信息显示,半导体元件工业有限责任公司申请一项名为“半导体衬底裂纹缓解系统和相关方法”的专利,公开号 CN 119673760 A,申请日期为2019年4月。
专利摘要显示,本发明题为“半导体衬底裂纹缓解系统和相关方法”。本发明公开了一种用于愈合半导体衬底中的裂纹的方法,所述方法的实施方式可以包括:识别半导体衬底中的裂纹;以及加热所述半导体衬底的包括所述裂纹的区域,直到所述裂纹愈合。
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