金融界2025年3月27日消息，国家知识产权局信息显示，无锡沧海云帆电子科技有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法”的专利，公开号 CN 119677165 A，申请日期为2024年12月。

专利摘要显示，本发明涉及半导体结构技术领域，公开了一种半导体结构及其制备方法，半导体结构包括：半导体衬底层；多晶硅层，位于半导体衬底层的一侧表面上；第一埋氧层，位于多晶硅层远离半导体衬底层的一侧表面上；图形结构层，位于第一埋氧层远离多晶硅层的一侧表面上，图形结构层包括多个导电结构和多个绝缘体结构，多个导电结构和多个绝缘体结构沿预设方向交替设置，且相邻的导电结构和绝缘体结构的其中一侧抵接；第二埋氧层，位于图形结构层远离第一埋氧层的一侧表面上；有源层，位于第二埋氧层远离图形结构层的一侧表面上。本发明可以调节半导体器件的阈值电压，灵活优化半导体器件的电学性能。

天眼查资料显示，无锡沧海云帆电子科技有限公司，成立于2021年，位于无锡市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本100万人民币。通过天眼查大数据分析，无锡沧海云帆电子科技有限公司专利信息12条，此外企业还拥有行政许可4个。

本文源自：金融界

作者：情报员