金融界2025年3月27日消息，国家知识产权局信息显示，杭州谱析光晶半导体科技有限公司申请一项名为“一种低阻超结结构及其制造方法”的专利，公开号CN 119677152 A，申请日期为2024年12月。

专利摘要显示，本发明公开了一种低阻超结结构及其制造方法，包括若干个相互并联的MOS元胞，单个MOS元胞包括漏极、上金属源极、栅极、半导体外延层、衬底层，半导体外延层位于衬底层表面，又称扩散层，通过离子注入形成有P阱层、N阱层；P阱层包括轻掺杂P阱层一和重掺杂P阱层一，相邻MOS元胞之间，在重掺杂P阱层一的中间，蚀刻形成有沟槽，所述沟槽的底部沉积有氧化层，氧化层表面设有侧金属源极，侧金属源极的顶部与上金属源极接触。本发明通过沟槽增加了重掺杂P阱层一的注入深度，并且将源极欧姆接触埋设计在外延层内的垂直方向上，大幅降低源极接触所占用的横向元胞尺寸。

天眼查资料显示，杭州谱析光晶半导体科技有限公司，成立于2020年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本774.0901万人民币，实缴资本658.536万人民币。通过天眼查大数据分析，杭州谱析光晶半导体科技有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目15次，专利信息123条，此外企业还拥有行政许可2个。

本文源自：金融界

作者：情报员