金融界 2025 年 3 月 27 日消息，国家知识产权局信息显示，深圳众诚达应用材料股份有限公司申请一项名为“一种 MOS 靶材及其制备方法和薄膜晶体管”的专利，公开号 CN 119683970 A，申请日期为 2025 年 2 月。

专利摘要显示，本申请涉及靶材制备技术领域，提供一种 MOS 靶材及其制备方法和薄膜晶体管，包括：将 In、Ga、Sn 三种离子的混合盐溶液、沉淀剂和络合剂进行共沉淀反应，经清洗浓缩后得到高纯铟镓锡氢氧化物胶体；将铟镓锡氢氧化物胶体和助剂进行水热反应，经清洗、干燥后得到第一铟镓锡氧化物粉；将第一铟镓锡氧化物粉进行煅烧处理得到第二铟镓锡氧化物粉将第二铟镓锡氧化物粉分散剂、消泡剂和纯水球磨混合得到浆料；将浆料注浆成型得到素坯；将素坯在高氧条件下进行烧结处理得到 MOS 靶材。本申请将共沉淀反应、水热反应和煅烧相结合，精确控制粉体的氧含量并使其轻微失氧，防止素坯烧结过程中 In2O3 失氧生成 In2O 或 InO 而影响靶材导电性。

天眼查资料显示，深圳众诚达应用材料股份有限公司，成立于2011年，位于深圳市，是一家以从事化学原料和化学制品制造业为主的企业。企业注册资本1592.8572万人民币，实缴资本1475.3595万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳众诚达应用材料股份有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目7次，财产线索方面有商标信息4条，专利信息90条，此外企业还拥有行政许可15个。

本文源自：金融界

作者：情报员