金融界2025年3月28日消息，国家知识产权局信息显示，北京智芯微电子科技有限公司申请一项名为“沟道退化监测电路、芯片退化监测电路及芯片”的专利，公开号CN 119689203 A，申请日期为2024年11月。

专利摘要显示，本发明涉及集成电路及芯片技术领域，提供一种沟道退化监测电路、芯片退化监测电路及芯片。沟道退化监测电路包括退化反相器，退化反相器包括第一高压晶体管、第一电阻、第二电阻及第三电阻，第一高压晶体管的栅极通过第一电阻连接退化反相器的输入端，并通过第二电阻接地，第一高压晶体管的漏极通过第三电阻连接芯片的电源端，第一高压晶体管的漏极与第三电阻之间的节点作为退化反相器的输出端。本发明针对高压器件的沟道退化、栅氧退化和衬底退化分别设计相应的监测电路并进行集成，能够支持高压器件及电路的退化监测和预警，可以内嵌到电源与隔离驱动芯片中，克服了现有监测电路仅适用于监测低压SOC芯片、无法监测高压电路及芯片的缺陷。

天眼查资料显示，北京智芯微电子科技有限公司，成立于2013年，位于北京市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本641018.943287万人民币，实缴资本641018.943287万人民币。通过天眼查大数据分析，北京智芯微电子科技有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目3520次，财产线索方面有商标信息126条，专利信息2796条，此外企业还拥有行政许可8个。

本文源自：金融界

作者：情报员