金融界2025年3月29日消息，国家知识产权局信息显示，上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司申请一项名为“种半导体器件的制备方法及半导体器件”的专利，公开号 CN 119698057 A，申请日期为2023年9月。

专利摘要显示，本发明公开了一种半导体器件的制备方法及半导体器件，应用于半导体器件技术领域，包括获取半导体结构；刻蚀光阻，暴露出预设高度的侧墙；根据预设刻蚀时间对暴露侧墙的半导体结构进行刻蚀，至第二型晶体管的伪栅极顶部残留有部分硬掩膜；基于经过刻蚀的半导体结构执行完成回刻蚀工艺，并在完成回刻蚀工艺后对半导体结构表面进行研磨，使第二型晶体管的伪栅极顶部呈非拱形结构。通过减少刻蚀时间，有效减少第二型晶体管栅极顶部的拱形程度；配合后续的研磨工艺可以使第二型晶体管的伪栅极顶部呈非拱形结构，保证去除伪栅极后的孔具有足够的尺寸实现栅极金属完全填充，保证半导体器件具有较高的良品率。

天眼查资料显示，上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司，成立于2020年，位于上海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本1150000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司参与招投标项目65次，财产线索方面有商标信息14条，专利信息435条，此外企业还拥有行政许可211个。

本文源自：金融界

作者：情报员