金融界2025年3月31日消息，国家知识产权局信息显示，上海林众电子科技有限公司取得一项名为“用于制作沟槽栅器件的晶圆结构”的专利，授权公告号 CN 222692197 U，申请日期为 2024 年 6 月。

专利摘要显示，本实用新型提供一种用于制作沟槽栅器件的晶圆结构，该晶圆结构包括：晶圆主体、栅极沟槽及应力修正沟槽，其中，晶圆主体包括多个芯片区及位于相邻两个芯片区之间的划片区，芯片区包括至少一元胞区；栅极沟槽位于元胞区中；应力修正沟槽位于划片区中，应力修正沟槽环绕芯片区，应力修正沟槽与栅极沟槽的开口的延伸方向不同，且应力修正沟槽的开口形状呈方波形或三角波形。本实用新型通过于晶圆主体的划片区中设置环绕各个芯片区的应力修正沟槽，并与元胞区中栅极沟槽的排布方式结合，改善了晶圆的翘曲度，减小了光刻对准的误差，提升了沟槽栅器件的工艺的一致性，保证了沟槽栅器件的性能。

天眼查资料显示，上海林众电子科技有限公司，成立于2009年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本5000万人民币，实缴资本3436.0317万人民币。通过天眼查大数据分析，上海林众电子科技有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目8次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息72条，此外企业还拥有行政许可41个。

本文源自：金融界

作者：情报员