金融界2025年4月2日消息，国家知识产权局信息显示，合肥芯谷微电子股份有限公司申请一项名为“一种双面套刻精度对准及保护背孔被过刻蚀风险控制方法”的专利，公开号CN 119739013 A，申请日期为2025年3月。

专利摘要显示，本发明公开了一种双面套刻精度对准及保护背孔被过刻蚀风险控制方法，本发明涉及光刻套刻技术领域。包括以下步骤：首先，在晶圆正面形成第一层套刻图案和对准标记，建立正面坐标系；通过套刻两层正面套刻图案的坐标信息计算局部及全局偏移误差，确定综合正面套刻误差并校正正面对准系统。随后，将晶圆翻转，按照正面对准的方式处理背面套刻图案，校正背面对准系统并完成双面误差校正。最后，通过提取表面特征参数包括光刻胶厚度分布因子和边缘粗糙度因子，修正光刻深度，得到精确值，实现对光刻深度的精确控制，降低了晶圆背孔被过刻蚀的风险，显著提高了设备的良率和产品的性能稳定性。

天眼查资料显示，合肥芯谷微电子股份有限公司，成立于2014年，位于合肥市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本6000万人民币，实缴资本6000万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥芯谷微电子股份有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目83次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息122条，此外企业还拥有行政许可22个。

本文源自：金融界

作者：情报员