长鑫存储取得半导体结构及其形成方法、存储器专利
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金融界2025年4月2日消息,国家知识产权局信息显示,长鑫存储技术有限公司取得一项名为“半导体结构及其形成方法、存储器”的专利,授权公告号 CN 112908840 B,申请日期为 2019年12月。
天眼查资料显示,长鑫存储技术有限公司,成立于2017年,位于合肥市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2388760.15663万人民币,实缴资本2388760.15663万人民币。通过天眼查大数据分析,长鑫存储技术有限公司参与招投标项目377次,专利信息5000条,此外企业还拥有行政许可46个。
本文源自:金融界
作者:情报员
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