晶芯成取得 LDMOS 器件及其制备方法专利
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金融界 2025 年 4 月 2 日消息,国家知识产权局信息显示,晶芯成(北京)科技有限公司取得一项名为“LDMOS 器件及其制备方法”的专利,授权公告号 CN 119486205 B,申请日期为 2025 年 1 月。
天眼查资料显示,晶芯成(北京)科技有限公司,成立于2020年,位于北京市,是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本20万人民币,实缴资本20万人民币。通过天眼查大数据分析,晶芯成(北京)科技有限公司专利信息200条,此外企业还拥有行政许可1个。
本文源自:金融界
作者:情报员
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