金融界2025年4月2日消息，国家知识产权局信息显示，杭州富芯半导体有限公司申请一项名为“封装结构及制作方法”的专利，公开号CN 119742239 A，申请日期为2024年11月。

专利摘要显示，本发明提供一种封装结构及制作方法，包括以下步骤：提供晶圆，晶圆包括相对设置的第一面和第二面，晶圆的第一面形成有若干芯片以及覆盖芯片的封装层；于封装层中形成应力释放槽，应力释放槽呈环状结构，应力释放槽由封装层的侧壁延伸至封装层的内部，以释放晶圆与封装层热之间膨胀系数不同产生的应力。本发明的封装结构及制作方法中，于封装层的边缘区域设置应力释放槽，给封装层的材料形变提供变形空间，使得应力得到有效释放，避免晶圆产生翘曲；并且适用不同类型的封装，操作简单，显著改善因热膨胀系数不同导致的晶圆翘曲问题。

天眼查资料显示，杭州富芯半导体有限公司，成立于2019年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本945000万人民币，实缴资本895000万人民币。通过天眼查大数据分析，杭州富芯半导体有限公司参与招投标项目22次，财产线索方面有商标信息15条，专利信息259条，此外企业还拥有行政许可16个。

本文源自：金融界

作者：情报员