金融界2025年4月2日消息，国家知识产权局信息显示，杭州富芯半导体有限公司申请一项名为“种电容结构的形成方法及电容结构”的专利，公开号CN 119743960 A，申请日期为2024年11月。

专利摘要显示，本发明公开了一种电容结构的形成方法及电容结构，其中电容结构的形成方法包括提供一半导体衬底，于半导体衬底内形成沟槽，于沟槽的内壁及半导体衬底的表面形成金属元素层。对位于沟槽的内壁及半导体衬底的表面金属元素层进行处理，以将金属元素层转化为第一金属化合物层，对第一金属化合物层进行处理，以将第一金属化合物层转化为第二金属化合物层，第二金属化合物层形成为下极板导电层。由此，本发明形成的下极板导电层材料分布均匀，电阻低，后续形成的电容结构在高频情况下，充放电稳定，电容系数比较好，形成的硅电容器的性能也有较大提升。

天眼查资料显示，杭州富芯半导体有限公司，成立于2019年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本945000万人民币，实缴资本895000万人民币。通过天眼查大数据分析，杭州富芯半导体有限公司参与招投标项目22次，财产线索方面有商标信息15条，专利信息259条，此外企业还拥有行政许可16个。

本文源自：金融界

作者：情报员