金融界2025年4月2日消息，国家知识产权局信息显示，苏州珂晶达电子有限公司申请一项名为“一种纵向高压半导体器件”的专利，公开号CN 119743998 A，申请日期为2024年12月。

专利摘要显示，本发明实施例公开了一种纵向高压半导体器件，该纵向高压半导体器件包括衬底以及位于所述衬底同一侧的至少一个功率器件和多个电压器件；沿第一方向，所述功率器件与所述电压器件之间以及相邻两个所述电压器件之间均包括第一隔离结构；所述第一方向与所述纵向高压半导体器件的厚度方向相交；沿所述纵向高压半导体器件的厚度方向，所述电压器件包括位于所述衬底一侧的第二隔离结构。采用上述技术手段，通过设置第一隔离结构，能够实现功率器件与电压器件之间的隔离，提高低压器件与高压器件集成的耐压能力，通过设置第二隔离结构能够减少漏电流，进而提高纵向高压半导体器件的性能。

天眼查资料显示，苏州珂晶达电子有限公司，成立于2011年，位于苏州市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本1000万人民币，实缴资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州珂晶达电子有限公司参与招投标项目18次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息45条，此外企业还拥有行政许可4个。

本文源自：金融界

作者：情报员