金融界2025年4月2日消息，国家知识产权局信息显示，上海邦芯半导体科技有限公司申请一项名为“沟槽结构、功率器件及其制备方法”的专利，公开号CN 119743993 A，申请日期为2025年3月。

专利摘要显示，本发明提供一种沟槽结构、功率器件及其制备方法，制备方法包括：在半导体衬底上形成图形硬掩模；对半导体衬底进行第一刻蚀，在第一气压下进行第一刻蚀阶段，以在半导体衬底中形成多个沟槽和半导体侧壁，然后原位在第二气压下进行第二刻蚀阶段，以在沟槽中形成圆弧形底部，第二气压大于第一气压；去除图形硬掩模；在沟槽中填充有机物，去除沟槽上部的有机物，以显露出半导体侧壁的顶角区域；对显露的半导体侧壁的顶角区域进行第二刻蚀，以在顶角区域形成圆角结构；去除有机物。本发明可有效降低因多步骤多反应腔来刻蚀碳化硅沟槽而造成高成本的问题，及避免多反应腔刻蚀造成的晶圆污染和生产效率下降的问题，同时提升沟槽栅极材料填充的性能。

天眼查资料显示，上海邦芯半导体科技有限公司，成立于2020年，位于上海市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本6166.6668万人民币，实缴资本6166.6668万人民币。通过天眼查大数据分析，上海邦芯半导体科技有限公司共对外投资了5家企业，参与招投标项目13次，财产线索方面有商标信息16条，专利信息102条，此外企业还拥有行政许可2个。

本文源自：金融界

作者：情报员