金融界2025年4月2日消息，国家知识产权局信息显示，德州仪器公司申请一项名为“包含自对准DWELL注入物的具有在漏极端和源极端处具有相反类型的掺杂的栅极电极的半导体装置”的专利，公开号CN 119743987 A，申请日期为2024年10月。

专利摘要显示，本公开是针对包含自对准DWELL注入物的具有在漏极端和源极端处具有相反类型的掺杂的栅极电极的半导体装置。所公开实例包含微电子装置(200)，例如集成电路，微电子装置(200)包含延伸到半导体衬底(208)中的源极区(258)和漏极区(260)，半导体衬底(208)具有第二导电类型，源极区(258)和漏极区(260)具有相反的第一导电类型。具有第二导电类型的沟道区(239)在源极区(258)与漏极区(260)之间延伸。在沟道区(239)上方的栅极电极(228)具有第一部分(286)和第二部分(246)。第一部分(286)具有第二导电类型和第一掺杂剂浓度。第二部分(246)从第一部分朝向源极区延伸且具有第二导电类型和第二较高掺杂剂浓度。自对准注入用以同时在栅极电极(228)的源极端附近以及在靠近源极区(258)的半导体衬底(208)中注入掺杂剂。

本文源自：金融界

作者：情报员