金融界 2025 年 4 月 3 日消息，国家知识产权局信息显示，杭州士兰微电子股份有限公司取得一项名为“一种 BCD 器件”的专利，授权公告号 CN 222706895 U，申请日期为 2024 年 4 月 。

专利摘要显示，本申请公开了一种 BCD 器件，包括第一掺杂类型的衬底；第一掺杂类型的外延层，位于所述衬底上，所述外延层中形成第一 LDMOS 结构、低压 NMOS 结构、低压 PMOS 结构以及 NPN 结构；以及第一场氧和第二场氧，位于所述外延层的表面，所述第一场氧的厚度大于所述第二场氧的厚度；其中，在所述第一 LDMOS 结构中，所述第一场氧和所述第二场氧位于所述第一 LDMOS 结构的源极欧姆接触区和漏极欧姆接触区之间，所述第一场氧和所述第二场氧相互接触且所述第二场氧靠近所述源极欧姆接触区一侧。

天眼查资料显示，杭州士兰微电子股份有限公司，成立于1997年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本166407.1845万人民币，实缴资本166407.1845万人民币。通过天眼查大数据分析，杭州士兰微电子股份有限公司共对外投资了30家企业，参与招投标项目22次，财产线索方面有商标信息51条，专利信息1147条，此外企业还拥有行政许可246个。

本文源自：金融界

作者：情报员