金融界2025年4月4日消息，国家知识产权局信息显示，广东华兰海电测科技股份有限公司申请一项名为“一种宽温区硅压力传感器芯片的MEMS优化工艺”的专利，公开号CN 119750493 A，申请日期为2025年2月。

专利摘要显示，本发明公开了一种宽温区硅压力传感器芯片的MEMS优化工艺，包括在双面抛光的硅晶圆上形成蜂窝状应力缓冲腔，在SOI晶圆的顶硅层表面生成双层复合膜，之后键合形成异质结构；在SOI晶圆的顶硅层表面，通过三次变角度离子注入工艺形成深度方向掺杂浓度梯度，并通过电子束光刻工艺制作温度补偿电极，构建梯度掺杂的压阻网络，表面生长波纹状SiON介质层，刻蚀锥形通孔，并采用脉冲电镀工艺填充铜金属实现内部互连，形成金属互连接构；在其表面依次沉积梯度SiNx薄膜，在异质结构的表面涂覆Au/Sn共晶焊料，在封装腔体内集成微型Pt温度传感器，涂覆聚硅氮烷复合保护层，有效提升了芯片在宽温区范围内的性能稳定性与抗温度变化的可靠性，适应复杂的高温低温环境条件。

天眼查资料显示，广东华兰海电测科技股份有限公司，成立于2003年，位于东莞市，是一家以从事仪器仪表制造业为主的企业。企业注册资本4888.8925万人民币，实缴资本2500万人民币。通过天眼查大数据分析，广东华兰海电测科技股份有限公司共对外投资了5家企业，参与招投标项目70次，财产线索方面有商标信息15条，专利信息155条，此外企业还拥有行政许可39个。

本文源自：金融界

作者：情报员