金融界2025年4月5日消息，国家知识产权局信息显示，重庆芯联微电子有限公司申请一项名为“一种薄膜沉积方法”的专利，公开号 CN 119753633 A，申请日期为2024年12月。

专利摘要显示，本申请提供一种薄膜沉积方法，包括以下步骤：将待镀膜的晶圆安放在晶舟上，并送入反应腔内，反应腔内具有初始温度；将反应腔的温度升高到第一温度；以恒定降温速率将反应腔的温度由第一温度降低到第二温度，并在降温过程中通入反应气体，以使反应气体在晶圆上沉积薄膜；以恒定升温速率将反应腔的温度由第二温度升高到第三温度，并在升温过程中通入反应气体，以使反应气体继续在晶圆上沉积薄膜；将反应腔的温度由第三温度降低到初始温度；其中，恒定降温速率大于恒定升温速率。该薄膜沉积方法能够使得晶圆上不同位置的温度更加均匀，优化整个晶圆的温度分布；通过精确控制温度变化速率，有效均衡晶圆内外的实际温差，显著提高了薄膜的片内均匀性。

天眼查资料显示，重庆芯联微电子有限公司，成立于2023年，位于重庆市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本870000万人民币，实缴资本522000万人民币。通过天眼查大数据分析，重庆芯联微电子有限公司参与招投标项目678次，专利信息65条，此外企业还拥有行政许可11个。

本文源自：金融界

作者：情报员