金融界2025年4月7日消息，国家知识产权局信息显示，深圳佳恩功率半导体有限公司取得一项名为“一种含有ESD保护芯片的集成式SIC-MOSFET结构”的专利，授权公告号 CN 222720415 U，申请日期为2024年6月。

专利摘要显示，本实用新型提供了一种含有ESD保护芯片的集成式S I C ‑MOSFET结构，属于晶体管技术领域，该含有ESD保护芯片的集成式S I C ‑MOSFET结构包括封装层与衬底，所述封装层套设在所述衬底的外部，所述封装层与所述衬底固定连接，所述封装层与所述衬底之间设置有源极和漏极，所述源极与所述封装层固定连接，所述漏极与所述衬底固定连接，所述源极和漏极之间设置有沟道，所述沟道分别与所述源极和所述漏极固定连接，所述源极上设置有栅极，所述栅极的外侧包裹有绝缘层，所述封装层将所述栅极覆盖在其内部，本实用新型能够解决现有的SiC‑MOSFET存在瞬态放电影响结构稳定性的问题。

天眼查资料显示，深圳佳恩功率半导体有限公司，成立于2020年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200万人民币，实缴资本200万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳佳恩功率半导体有限公司专利信息20条，此外企业还拥有行政许可5个。

本文源自：金融界

作者：情报员