金融界 2025 年 4 月 7 日消息，国家知识产权局信息显示，捷捷半导体有限公司取得一项名为“VDMOS 器件”的专利，授权公告号 CN 222721861 U，申请日期为 2024 年 4 月。

专利摘要显示，一种 VDMOS 器件，涉及半导体器件技术领域。该 VDMOS 器件包括衬底、设于衬底上的外延层、设于外延层内且与外延层上表面平齐的 P 阱区、设于 P 阱区内且与 P 阱区上表面平齐第一掺杂区和第二掺杂区、位于外延层上且分别与第一掺杂区和第二掺杂区连接的源极、位于衬底背离外延层一侧的漏极，以及栅极；第一掺杂区和第二掺杂区并排设置；栅极包括设于外延层上的第一结构和设于外延层内的第二结构，第一结构和第二结构连接，第二结构沿第一方向呈阶梯状设置，第一方向为衬底和外延层的排布方向。该 VDMOS 器件能够提高器件击穿性能的同时降低导通电阻。

天眼查资料显示，捷捷半导体有限公司，成立于2014年，位于南通市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本42000万人民币，实缴资本42000万人民币。通过天眼查大数据分析，捷捷半导体有限公司参与招投标项目27次，财产线索方面有商标信息4条，专利信息162条，此外企业还拥有行政许可20个。

本文源自：金融界

作者：情报员