金融界2025年4月7日消息，国家知识产权局信息显示，重庆芯联微电子有限公司申请一项名为“双重图形栅极及其制作方法”的专利，公开号CN 119764167 A，申请日期为2024年12月。

专利摘要显示，本发明提供一种双重图形栅极及其制作方法，制作方法包括：于基底上形成栅介质层和栅极多晶硅层；形成第一硬掩模层及第一光阻图形，第一光阻图形用于定义沿第一方向延伸的栅极部；刻蚀形成第一硬掩模图形，刻蚀去除显露的部分栅极多晶硅层，以在第一硬掩模图形下方形成多晶硅凸起；去除自然氧化层并形成保护氧化层；于基底表面形成第二硬掩模层和第二光阻图形，第二光阻图形用于定义栅极部的截断区域；刻蚀形成第二硬掩模图形；刻蚀第一硬掩模图形以形成栅极掩膜图形，刻蚀在截断区域处形成多晶硅凹陷；去除保护氧化层；刻蚀栅极多晶硅层和栅介质层以形成栅极结构。本发明可以保证栅极多晶硅层不会被重复刻蚀，保证栅极结构的形貌完整性。

天眼查资料显示，重庆芯联微电子有限公司，成立于2023年，位于重庆市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本870000万人民币，实缴资本522000万人民币。通过天眼查大数据分析，重庆芯联微电子有限公司参与招投标项目678次，专利信息65条，此外企业还拥有行政许可11个。

本文源自：金融界

作者：情报员