金融界2025年4月7日消息，国家知识产权局信息显示，重庆芯联微电子有限公司申请一项名为“接触结构及其制作方法”的专利，公开号 CN 119764255 A，申请日期为 2024年12月。

专利摘要显示，本发明提供一种接触结构及其制作方法，该接触结构的制作方法包括以下步骤：提供一晶圆，所述晶圆包括位于所述晶圆上表层的介电层及至少一贯穿所述介电层的接触孔，所述接触孔的底面显露出金属电极层；对所述接触孔内壁所显露的所述介电层的表面进行预处理，并形成预设厚度且覆盖所述接触孔内壁的氨基层；形成填充所述接触孔的金属填充层。本发明通过形成覆盖接触孔内壁所显露的介电层的氨基层，省去了导电阻挡层或者导电阻挡层在接触结构中的占比，提升了接触结构的电性能及可靠性。

天眼查资料显示，重庆芯联微电子有限公司，成立于2023年，位于重庆市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本870000万人民币，实缴资本522000万人民币。通过天眼查大数据分析，重庆芯联微电子有限公司参与招投标项目678次，专利信息65条，此外企业还拥有行政许可11个。

本文源自：金融界

作者：情报员